03 场效应管

MOS 场效应管

N 沟道增强型 MOS 管

结构

工作原理

1. \(v_{GS}\) 对沟道的控制作用

   

   

2. \(v_{DS}\) 对沟道的控制作用（\(v_{GS}>v_{th}\)）

   当 \(V_{DS} > 0\) 将产生 \(i_D\)，且由 D 极沿沟道到 S 极将产生压降，使 G 极与沟道中各点电压差不再相同，\(V_{GS}\) 最大，\(V_{GD} = V_{GS} - V_{DS}\) 最小，使沟道中各点厚度不同,S 极最厚，D 极最薄。

   1. 当 \(V_{DS} < (V_{GS} - V_{th})\) 时，\(V_{GD} = V_{GS} - V_{DS} > V_{th}\) 则 D 极仍存在一定厚度的沟道，尚未夹断 (未夹断区)，(同理 \(V_{GD} > V_{th}\) 才可能产生沟道)。

   $$ 0 < V_{DS} < (V_{GS} - V_{th}) $$

   2. 如图：

      

   3. 如图：

      

可见只有多子电子导电，所以：

• 为单极型，而少子受温度影响大
• MOS 管的温度稳定性好，抗辐射能力强

N 沟道增强型 MOS 特性曲线

输出特性曲线

1. 截止区

   

2. 可变电阻区

   

   

   3️⃣ 存在沟道长度调制效应（对应晶体管的放大区）：

   

   

   

3. 击穿区：