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02 双极型晶体管

双极性晶体管

放大电路基本知识

基本共射放大电路原理

直流通路与交流通路

直流通路图

构成原则:

  1. 电容视为开路。
  2. 电感线圈视为短路,保留电感线圈上的电阻(近似分析时可忽略)。
  3. 交流电压源视为短路,保留其内阻。
  4. 交流电流源视为开路,保留其内阻。
  5. 工作在击穿区的稳压二极管,等效为等值的直流电压源
(正偏普通二极管可等效为 0.7V(硅)的直流电压源)。

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交流通路图

构成原则:

  1. 容量大的电容(如耦合电容、旁路电容)视为交流短路;容量小的电容(如晶体管结电容、分布电容等)视为交流开路

  2. 感抗大的电感线圈视为交流开路;感抗小的电感线圈视为交流短路

  3. 直流电压源视为交流短路,如有内阻则保留其内阻

  4. 直流电流源视为交流开路,如有内阻则保留其内阻。

  5. 工作在击穿区的稳压二极管,视为交流短路(考虑击穿区动态电阻时,保留该电阻)


正偏的二极管,视为交流短路。若需考虑交流电阻时,保留交流电阻

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共射放大电路图解分析

图解直流分析

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图解交流分析

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  • 交流负载线斜率:\(- \frac 1 {R_C//R_L}\)
  • 交流负载过 Q 点

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交流信号分析

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  • 交流信号的移动轨迹实在交流负载线上
  • 交流输入信号与输出信号反相
  • 通过信号幅值可计算电流和电压的增益(左右两个图的 x 轴信号曲线)

静态工作点与波形失真

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  • 工作点过\(I_{BQ}\)\(I_{CQ}\) 大)输出电压易产生饱和失真(NPN 管,部失真)
  • 工作点过\(I_{BQ}\)\(I_{CQ}\) 小)输出电压易产生截止失真(NPN 管,部失真)

动态输出范围

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  • 意思是:输出波形没有明显失真的最大电压/电流幅值
  • 交流负载线上 Q-M、Q-N 中对应横轴电压(纵轴电流)较小的一个值
  • Q 点应选择交流负载线上放大区的中间点,可以得到最大的、无明显饱和失真及截止失真的信号

晶体管模型

晶体管放大状态简化直流模型

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用简化模型计算静态工作点

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晶体管放大状态交流小信号模型

  1. 晶体管混合 π 模型

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  2. 简化高频混合 π 模型

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  3. 简化中低频混合 π 模型

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  4. 中低频混合 π 模型的参数

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    • \(V_A\) 为厄尔利电压(基区调宽效应)
  5. 中低频 H 参数模型

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直流偏置电路

固定偏置电路

固定偏置电路是最简单的、为晶体管提供静态工作点的电路形式。

当电源电压 \(V_{CC}\) 较高时,晶体管基极电流 \(I_{BQ}\) 由输入偏置电阻 \(R_B\) 决定。

这个方式不稳定,参数会随着温度而变化。

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例题

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  • \(V_{CES}\) 为饱和压降

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分压式负反馈偏置电路

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静态工作点的近似计算

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静态工作点的精确计算

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分压式负反馈偏置电路的应用

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基本共射电路的等效分析

分析步骤

  1. 确定放大电路的静态工作点( \(I_{BQ}\)\(I_{CQ}\)\(I_{CEQ}\) 等)
  2. 求出 Q 点处的混合 π 模型参数 \(r_{b'e}、r_{ce}、g_m\)(或 H 参数的 \(r_{be}\)
  3. 画出放大电路的交流通路图,将交流通路图中的晶体管用低频混合 π 模型
(或 H 参数模型)代替,得到小信号交流等效电路(微变等效电路)
  4. 求解放大电路的交流性能指标:\(A_v、A_i、R_i、R_o\)

直流分析

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交流分析

  1. 画出交流通路图

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  2. 求混合 π 模型的参数

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  3. 求电压增益

    \[ \dot{A}_v = \frac{\dot{V}_o}{\dot{V}_i} = \frac{-g_m \dot{V}_{b'e} R_L'}{\dot{V}_{b'e} \frac{r_{bb'}}{r_{b'e}} + \dot{V}_{b'e}} = \frac{-g_m R_L'}{\frac{r_{bb'}}{r_{b'e}} + 1} = \frac{-g_m r_{b'e} R_L'}{r_{bb'} + r_{b'e}} = -87.5 \]

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  1. 求 H 参数模型参数

    x

放大电路的静态工作点稳定问题

有射极电阻的共射电路分析

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分析举例

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补充(深负反馈):

\[ \dot{A}_v = -\frac{\beta R_L'}{r_{be} + (\beta + 1)R_E} \approx -\frac{R_L'}{R_E} = -2.8 \]

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晶体管放大电路三种基本组态

共集电路等效分析

直流分析

  1. 共集放大电路

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  2. 直流分析

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交流分析

  1. 电压增益与电流增益(🌟)

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  2. 输入电阻

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    • 共集电路,输入电阻较大,且和负载电阻有关!
  3. 输出电阻

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    • 共集电路,输出电阻很小(几十Ω),且与信号源电阻有关!

分析举例

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特点与应用

特点:

  • 高输入阻抗
  • 低输入阻抗
  • 电流增益较大
  • 电压增益同相且小于 1

应用:

  • 作为多级放大的输入级,有较高的输入阻抗
  • 作为多级放大的中间隔离级,减小后级较小的输入阻抗对前级增益的影响
  • 作为多级放大的输出级,提供较小的输出阻抗,提提高带负载能力

共基电路等效分析

直流分析(略)

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交流分析

  1. 电压增益

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  2. 电流增益

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  3. 输入输出电阻

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分析举例

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特点:

  • 低输入阻抗
  • 电压增益和输出阻抗与共射放大电路相同,但为同相放大
  • 电流增益小于 1

应用:基放大电路多用于高频段电压放大(详见第四章)

三种组态电路特点对比

直流偏置方式

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电压增益

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电流增益

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输入阻抗

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输出阻抗

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高频特性与应用

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电流源及其应用

电流源的基本要求及晶体管电流源

2.6

基本镜像电流源

2.6

2.6

后面发现不考,这一节就不记了。

差分放大电路

差放电路结构与功能

温度漂移

2.6

电路的组成

2.6

2.6

共模信号与差模型号

  1. 共模信号

    2.6

  2. 差模信号

    2.6

  3. 共模抑制比 \(K_{CMK}(CMRR)\):见上图

双电源长尾式差放

2.6

电流源射极偏置差放

2.6

差放静态分析及转移特性

长尾式差放静态分析(估算)

2.6

  • \(V_{CEQ1}=V_{CC}- \frac 1 2 R_{C}I_{EE} + V_{BE}\),其中 \(V_{BE}\) 是因为基极电位为零,发射极电位为 \(-V_{BE}\)

电流源偏置差分静态分析(估算)

2.6

差放的直流转移特性

2.6

2.7

2.7

2.7

差分输入线性范围扩展

2.7

差放的交流小信号差模分析

差模和共模信号的分解

2.7

输入、输出方式

2.7

双入双出

2.7

2.7

2.7

  • 对于(2)因为交流时,\(V_{E}\)\(V_{EE}\) 之间没有电流流过,所以 \(R_{id}=2r_{be}\)

双入单出

2.7

2.7

差放的交流小信号共模分析

共模等效电路

2.7

共模电压增益

2.7

共模输入输出电阻

2.7

共模抑制比

2.7

差分电路例题

2.7

2.7

2.7

2.7

2.7

2.7


2.7

2.7

2.7

功率放大电路

特点及分类

要求

2.8

分类

2.8

2.8

互补对称功率放大电路简介

2.8

  • OTL: Output Transformer Less
  • OCL: Output Capacitor Less

2.8

OCL、OTL 工作原理

OCL 工作原理

2.8

  • OCL 双电源供电

交越失真及消除

2.8

  • 乙类电路主要问题:由于晶体管有死区电压,放大电路有交越失真

2.8

2.8

OTL 工作原理

2.8

2.8

OCL、OTL 参数分析

2.8

  • 输出功率:

    \[ P_o = \frac{V_{om}}{\sqrt{2}} \frac{I_{om}}{\sqrt{2}} = \frac{V_{om}^2}{2R_L} \]
  • 电源供给功率:

    \[ \begin{aligned} P_{DC} &= 2 \frac{1}{2\pi} \int_0^\pi V_{CC} I_{cm} \sin \omega t d(\omega t) \\ &= \frac{2 V_{CC} V_{om}}{\pi R_L} \end{aligned} \]
  • 效率:

    \[ \begin{aligned} \eta &= \frac{P_o}{P_{DC}} = \frac{\pi}{4} \cdot \frac{V_{om}}{V_{CC}} \\ \eta_{\max} &\approx \frac{\pi}{4} \approx 78.5\% \end{aligned} \]
  • 晶体管损耗:

    \[ \begin{aligned} P_{T1} + P_{T2} &= P_{DC} - P_o\\ &= \frac{2V_{CC}}{\pi} \frac{V_{om}}{R_L} - \frac{V_{om}^2}{2R_L}\\ P_{T1} &= P_{T2} = \frac{V_{CC}}{\pi} \frac{V_{om}}{R_L} - \frac{V_{om}^2}{4R_L}\\ P_{T1 \max} &= P_{T2 \max} = \frac{V_{CC}^2}{\pi^2 R_L}\\ P_{T1 \max} &= P_{T2 \max} \approx 0.2 P_{o \max}\\ \end{aligned} \]
  • 晶体管选择:

    1. 集电极最大允许电流:\(I_{CM} \geq \frac{V_{CC}}{R_L}\)
    2. 基极开路时 C、E 间击穿电压:\(V_{(BR)CEO} \geq 2V_{CC}\)
    3. 晶体管的最大管耗:\(P_{CM} \geq 0.2P_{o \max}\)
例题

2.8